首先，周教授以生活实例做类比，深入浅出的介绍了Ge-Sb-Te材料所具有的两种局域稳定结构，并指出它们性能上的明显差别。该材料的这两种相变属于重构型相变，过程所需能量较高。相对而言，位移型相变则需要较小的能量输入，因此具有更为优秀的应用前景，特别是基于二维材料的有序-有序相变来设计微型结构相变材料在电子信息存储领域具有重大应用价值。周教授以过渡金属二硫化物（TMD，如MoS2）单层材料具有的2H和1T′两个相为例，讲解了从理论和实验上怎样通过静电场的方式诱导2H→1T′结构相变，并提出新的疑问，即能否用非接触式的光场来诱导二维材料的结构相变。周教授进而介绍了一种新的相变方案，即通过讨论光场中交变电场对二维各向异性材料的影响，通过第一性原理计算线偏振光场下二维各向异性材料的自由能变化，预言光照下二维材料的快速结构相变。最后，周教授列举了多种最新研究成果，来说明该新相变方法的可行性及重要意义。报告后，周教授就新相变方法的预期应用效果及急需克服的问题与在场师生进行了广泛交流。

报告人简介：周健，西安交通大学教授，博士生导师，中组部第十四批青年特聘专家。于2008年和2013年获得北京大学学士和博士学位，此后分别在美国弗吉尼亚联邦大学和麻省理工学院从事博士后研究，现任西安交通大学微纳尺度材料行为研究中心教授。长期以来从事计算材料学的理论模拟，在低维材料的自旋电子学、拓扑材料、相变材料等领域从事材料设计和理论计算分析研究。共发表60余篇学术论文，其中以第一作者/通讯作者身份在PNAS，PRL，JACS，Angew. Chem.，Nano Lett.等杂志发表30余篇论文，包括5篇ESI高被引论文和1篇热点论文。这些结果被Science，Nat. Mater.，Chem. Rev.，Rev. Mod. Phys.，等杂志引用2500余次，h因子21，单篇最高被引500余次。