2018年11月21日（周二）下午，在明德楼B302来自美国加州大学洛杉矶分校 (UCLA)的王琛博士为我院师生作了题为“van der Waals and Chemical Integration of Nanoscale Materials: from Basic Material Science to Nanoscale Devices Engineering”的学术报告。本次报告会由马柱博士主持。
王琛博士本科毕业于武汉大学物理学基地班专业，博士毕业于美国加州大学洛杉矶分校 (UCLA)，师从段镶锋教授。主要专注于研究下一代半导体光电器件，尤其是低维半导体器件。王博士首先为我们介绍了所在实验室的研究内容和近期的研究成果。接下来，在报告中简要概括了二维半导体的研究背景和研究现状，指出二维半导体的研究对于光伏器件、太阳能电池、新材料和柔性电子器件等方面具备重大的意义。
随后，王博士结合自己最新的研究进展以及目前的研究热点，提出了通过原位插层的方法制备不同层数的黑磷。这种新型的制备方法不仅降低了黑磷的制备难度，同时提高了材料的稳定性和电化学性能。此外，在报告中还介绍了通过动力学分析来判断反应进程以及如何通过有限元模拟来拟合电化学性能。
最后，王博士就老师和学生们提出的原位插层的方法以及实验过程中的创新点等问题进行了详细解答和深入交流。马柱博士对王琛博士的学术报告做了简要总结，并对王博士在科研过程中所付出的努力表达了由衷的赞赏。
